规格书 |
C4D30120D |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 30 |
电压 - 正向(Vf)(最大)@ | 1.8V @ 15A |
电流 - 反向漏VR | 200µA @ 1200V |
电流 - 平均整流(Io)(每二极管) | 21.5A |
电压 - 直流反向(VR)(最大值) | 1200V (1.2kV) |
反向恢复时间(trr) | 0ns |
二极管型 | Silicon Carbide Schottky |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
二极管配置 | 1 Pair Common Cathode |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
包装材料 | Tube |
安装 | Through Hole |
峰值反向电流 | 200 |
峰值不重复浪涌电流 | 130 |
包装宽度 | 5.21(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 440000 |
类型 | Schottky Diode |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
峰值正向电压 | 1.8@15A |
峰值反向重复电压 | 1200 |
最低工作温度 | -55 |
配置 | Dual Common Cathode |
供应商封装形式 | TO-247 |
标准包装名称 | TO-247 |
最高工作温度 | 175 |
包装长度 | 16.13(Max) |
工作结温度 | -55 to 175 |
引脚数 | 3 |
最大连续正向电流 | 43 |
包装高度 | 20.32(Max) |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
封装 | Tube |
电流 - 平均整流(Io ) (每个二极管) | 21.5A |
安装类型 | Through Hole |
电压 - 正向(Vf) (最大) | 1.8V @ 15A |
电压 - ( Vr)(最大) | 1200V (1.2kV) |
供应商设备封装 | TO-247-3 |
反向恢复时间(trr ) | 0ns |
二极管类型 | Silicon Carbide Schottky |
标准包装 | 30 |
电流 - Vr时反向漏电 | 200µA @ 1200V |
二极管配置 | 1 Pair Common Cathode |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
封装/外壳 | TO-247-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
正向电压下降 | 1.8 V |
产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
最大功率耗散 | 220 W |
正向连续电流 | 30 A |
最大反向漏泄电流 | 200 uA |
峰值反向电压 | 1.2 kV |
安装风格 | Through Hole |
最大浪涌电流 | 130 A |
封装/外壳 | TO-247-3 |
RoHS | RoHS Compliant |
工作温度范围 | -55C to 175C |
包装类型 | TO-247 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
整流器类型 | Schottky Diode |
峰值不重复浪涌电流 | 130 A |
高峰代表冯电压 | 1200 V |
冯页次 | 200 uA |
Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max | :1.2kV |
Forward Current If(AV) | :43A |
Forward Voltage VF Max | :1.8V |
Forward Surge Current Ifsm Max | :130A |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :175°C |
Diode Case Style | :TO-247 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
Weight (kg) | 0.0001 |
Tariff No. | 85411000 |
associated | SDP30S120 C4D40120D |
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